IXFE50N50技术参数_IXFE50N50资料_IXFE50N50引脚图

IXFE50N50

概述

MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B

厂商

IXYS

参数

包装:散装,系列:HiPerFET™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):500V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:50A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 25A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 8mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):330nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9400pF @ 25V,功率 - 最大值:500W,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

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