APT33GF120B2RDQ2G技术参数_APT33GF120B2RDQ2G资料_APT33GF120B2RDQ2G引脚图

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APT33GF120B2RDQ2G

概述

IGBT 1200V 64A 357W TMAX

厂商

Microsemi Power Products Group

参数

包装:管件,系列:-,IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3V @ 15V，25A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:64A,Current - Collector Pulsed (Icm):75A,功率 - 最大值:357W,Switching Energy:1.315µJ (开), 1.515µJ (关),输入类型:标准,Gate Charge:170nC,Td (on/off) A 25°C:14ns/185ns,Test Condition:800V, 25A, 4.3 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:TO-247-3 变式,安装类型:通孔,供应商器件封装:*

引脚图与功能

暂无APT33GF120B2RDQ2G的引脚图与功能信息

工作原理

暂无APT33GF120B2RDQ2G的工作原理信息

替代产品

暂无APT33GF120B2RDQ2G的替代产品信息

PDF资料

暂无APT33GF120B2RDQ2G的PDF资料信息

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