IPP037N08N3 G E8181技术参数_IPP037N08N3 G E8181资料_IPP037N08N3 G E8181引脚图

当前位置：1kic首页>IC技术参数>IPP037N08N3 G E8181的技术资料

IPP037N08N3 G E8181

概述

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

厂商

Infineon Technologies

参数

包装:管件,系列:OptiMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):80V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:100A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:3.75 毫欧 @ 100A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 155µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):117nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8110pF @ 40V,功率 - 最大值:214W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:PG-TO220-3