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IRLR110

概述

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

厂商

参数

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):540 毫欧 @ 2.6A,5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.1nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 25V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63,供应商器件封装:D-Pak

引脚图与功能

暂无IRLR110的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRLR110的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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