HGTG11N120CND技术参数_HGTG11N120CND资料_HGTG11N120CND引脚图

HGTG11N120CND

概述

IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:管件,系列:-,IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V，11A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:43A,Current - Collector Pulsed (Icm):80A,功率 - 最大值:298W,Switching Energy:950µJ (开), 1.3mJ (关),输入类型:标准,Gate Charge:100nC,Td (on/off) A 25°C:23ns/180ns,Test Condition:960V, 11A, 10 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):32ns,封装/外壳:TO-247-3,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-247

引脚图与功能

暂无HGTG11N120CND的引脚图与功能信息

工作原理

暂无HGTG11N120CND的工作原理信息

替代产品

暂无HGTG11N120CND的替代产品信息

PDF资料

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