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HGTG11N120CND的技术资料
搜索资料
HGTG11N120CND
概述
IGBT NPT N-CH 1200V 43A TO-247
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:管件,系列:-,IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):1200V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,11A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):43A,Current - Collector Pulsed (Icm):80A,功率 - 最大值:298W,Switching Energy:950µJ (开), 1.3mJ (关),输入类型:标准,Gate Charge:100nC,Td (on/off) A 25°C:23ns/180ns,Test Condition:960V, 11A, 10 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):32ns,封装/外壳:TO-247-3,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-247
引脚图与功能
暂无HGTG11N120CND的引脚图与功能信息
工作原理
暂无HGTG11N120CND的工作原理信息
替代产品
暂无HGTG11N120CND的替代产品信息
PDF资料
暂无HGTG11N120CND的PDF资料信息
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