ZXMN6A25K技术参数_ZXMN6A25K资料_ZXMN6A25K引脚图

ZXMN6A25K

概述

MOSFET N-CHAN 60V DPAK

厂商

Diodes Inc

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20.4nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1063pF @ 30V,功率 - 最大值:2.11W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:TO-252-3