ZXMN10B08E6TA技术参数_ZXMN10B08E6TA资料_ZXMN10B08E6TA引脚图

ZXMN10B08E6TA

概述

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

厂商

Diodes Inc

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.6A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:230 毫欧 @ 1.6A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.2nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):497pF @ 50V,功率 - 最大值:1.1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6,供应商器件封装:SOT-23-6