ZXMHC3A01T8TA技术参数_ZXMHC3A01T8TA资料_ZXMHC3A01T8TA引脚图

ZXMHC3A01T8TA

概述

MOSFET H-BRIDGE DUAL SOT223-8

厂商

Diodes Inc

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:2.7A，2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.9nC @ 15V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):190pF @ 25V,功率 - 最大值:1.3W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-223-8,供应商器件封装:SM8