ZXMC4559DN8TA技术参数_ZXMC4559DN8TA资料_ZXMC4559DN8TA引脚图

ZXMC4559DN8TA

概述

MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC

厂商

Diodes Inc

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3.6A，2.6A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 4.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20.4nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1063pF @ 30V,功率 - 最大值:1.25W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SOP