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ZVNL110GTA

概述

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

厂商

Diodes Inc

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:600mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):75pF @ 25V,功率 - 最大值:2W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA,供应商器件封装:SOT-223