USB10H技术参数_USB10H资料_USB10H引脚图

USB10H

概述

MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT6

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:2 个 P 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 1.9A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.2nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):441pF @ 10V,功率 - 最大值:700mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6,供应商器件封装:6-SSOT