包装:带盒（TB）可替代的包装,系列:-,晶体管类型:NPN - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:50V,电阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k,电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):4.7k,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:50 @ 100mA，10V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，100mA,电流 - 集电极截止（最大值）:1µA,频率 - 跃迁:200MHz,功率 - 最大值:300mW,安装类型:通孔,封装/外壳:NS-B1,供应商器件封装:NS-B1

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