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TPCF8201(TE85L,F,M

概述

MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8

厂商

Toshiba

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:49 毫欧 @ 1.5A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 200µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.5nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):590pF @ 10V,功率 - 最大值:530mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SMD，扁平引线,供应商器件封装:VS-8（2.9x1.9）

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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