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TJ60S06M3L(T6L1,NQ

概述

MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3

厂商

Toshiba

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:60A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:11.2 毫欧 @ 30A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):156nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7760pF @ 10V,功率 - 最大值:100W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:DPAK+

引脚图与功能

暂无TJ60S06M3L(T6L1,NQ的引脚图与功能信息

工作原理

暂无TJ60S06M3L(T6L1,NQ的工作原理信息

替代产品

暂无TJ60S06M3L(T6L1,NQ的替代产品信息

PDF资料

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