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QST3TR的技术资料
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QST3TR
概述
TRANSISTOR PNP 30V 4A TSMT6
厂商
Rohm Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5A,电压 - 集射极击穿(最大值):30V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):250mV @ 40mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):270 @ 500mA,2V,功率 - 最大值:1.25W,频率 - 跃迁:200MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6,供应商器件封装:TSMT6
引脚图与功能
暂无QST3TR的引脚图与功能信息
工作原理
暂无QST3TR的工作原理信息
替代产品
暂无QST3TR的替代产品信息
PDF资料
暂无QST3TR的PDF资料信息
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