QS8M12TCR技术参数_QS8M12TCR资料_QS8M12TCR引脚图

QS8M12TCR

概述

MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:42 毫欧 @ 4A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.4nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 10V,功率 - 最大值:1.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SMD，扁平引线,供应商器件封装:TSMT8

引脚图与功能

暂无QS8M12TCR的引脚图与功能信息

工作原理

暂无QS8M12TCR的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

Q20902
Q21978
Q20-C1
Q20-C2
Q2040P
Q23466
Q23518
Q23530
Q23559
Q23560