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QS8J1TR

概述

MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:2 个 P 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):12V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:4.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:29 毫欧 @ 4.5A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2450pF @ 6V,功率 - 最大值:1.25W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TSMT8,供应商器件封装:TSMT8