QED122A3R0技术参数_QED122A3R0资料_QED122A3R0引脚图

QED122A3R0

LED IR ALGAAS 880NM PEACH 5MM

Fairchild Semiconductor

包装:带卷 (TR),系列:-,电流 - DC 正向 (If):100mA,不同 If 时的辐射强度 (Ie)（最小值）:32mW/sr @ 100mA,波长:880nm,电压 - 正向 (Vf)（典型值）:1.7V,视角:18°,方向:顶视图,安装类型:通孔,封装/外壳:T 1 3/4

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