包装:带卷 (TR),系列:FETKY™,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:二极管（隔离式）,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:2.4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 3.3A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):750pF @ 16V,功率 - 最大值:780mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）,供应商器件封装:Micro8™

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