包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:NPN，PNP,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:40V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA,电流 - 集电极截止（最大值）:-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 10mA，1V,功率 - 最大值:500mW,频率 - 跃迁:300MHz，250MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-563，SOT-666,供应商器件封装:SOT-563

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