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NSS20200LT1G的技术资料
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NSS20200LT1G
概述
TRANSISTOR PNP 4A 20V SOT-23
厂商
ON Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A,电压 - 集射极击穿(最大值):20V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):180mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):250 @ 500mA,2V,功率 - 最大值:460mW,频率 - 跃迁:100MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
引脚图与功能
暂无NSS20200LT1G的引脚图与功能信息
工作原理
暂无NSS20200LT1G的工作原理信息
替代产品
暂无NSS20200LT1G的替代产品信息
PDF资料
暂无NSS20200LT1G的PDF资料信息
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