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NP40N055MLE-S18-AY的技术资料
搜索资料
NP40N055MLE-S18-AY
概述
MOSFET N-CH 55V 40A TO-220
厂商
Renesas Electronics America
参数
包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):55V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):23 毫欧 @ 20A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):41nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1950pF @ 25V,功率 - 最大值:1.8W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220-3
引脚图与功能
暂无NP40N055MLE-S18-AY的引脚图与功能信息
工作原理
暂无NP40N055MLE-S18-AY的工作原理信息
替代产品
暂无NP40N055MLE-S18-AY的替代产品信息
PDF资料
暂无NP40N055MLE-S18-AY的PDF资料信息
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