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NDS356P

概述

MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:210 毫欧 @ 1.3A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):180pF @ 10V,功率 - 最大值:460mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:3-SSOT