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MPSW06

概述

TRANSISTOR NPN GEN PURP TO-226

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:散装,系列:-,晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:80V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA,电流 - 集电极截止（最大值）:100nA,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 100mA，1V,功率 - 最大值:1W,频率 - 跃迁:100MHz,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 长体,供应商器件封装:TO-226

引脚图与功能

暂无MPSW06的引脚图与功能信息

工作原理

暂无MPSW06的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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