J112G技术参数_J112G资料_J112G引脚图

J112G

概述

TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:散装可替代的包装,系列:-,不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):5mA @ 15V,漏源极电压 (Vdss):-,漏极电流 (Id) - 最大值:-,FET 类型:N 沟道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):35V,不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1V @ 1µA,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,电阻 - RDS（开）:50 欧姆,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体,供应商器件封装:TO-92-3,功率 - 最大值:350mW