包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):600V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:10A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):160nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4700pF @ 25V,功率 - 最大值:300W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA,供应商器件封装:TO-268

暂无IXTT10P60的引脚图与功能信息

暂无IXTT10P60的工作原理信息

暂无IXTT10P60的替代产品信息

暂无IXTT10P60的PDF资料信息

暂无IXTT10P60的供应商