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IXSP10N60B2D1的技术资料
搜索资料
IXSP10N60B2D1
概述
IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO220AB
厂商
IXYS
参数
包装:散装,系列:-,IGBT 类型:PT,电压 - 集射极击穿(最大值):600V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,10A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A,Current - Collector Pulsed (Icm):30A,功率 - 最大值:100W,Switching Energy:430µJ(关),输入类型:标准,Gate Charge:17nC,Td (on/off) A 25°C:30ns/180ns,Test Condition:-,反向恢复时间 (trr):25ns,封装/外壳:TO-220-3,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-220AB
引脚图与功能
暂无IXSP10N60B2D1的引脚图与功能信息
工作原理
暂无IXSP10N60B2D1的工作原理信息
替代产品
暂无IXSP10N60B2D1的替代产品信息
PDF资料
暂无IXSP10N60B2D1的PDF资料信息
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