包装:管件,系列:-,IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿（最大值）:330V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.8V @ 15V，45A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:90A,Current - Collector Pulsed (Icm):360A,功率 - 最大值:200W,Switching Energy:-,输入类型:标准,Gate Charge:69nC,Td (on/off) A 25°C:-,Test Condition:-,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-3P

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