系列:-,IGBT 类型:NPT,配置:单一,电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3V @ 15V，100A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:160A,电流 - 集电极截止（最大值）:50µA,不同 Vce 时的输入电容 (Cies):9.22nF @ 25V,功率 - 最大值:735W,输入:标准,NTC 热敏电阻:无,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B

暂无IXGN100N170的引脚图与功能信息

暂无IXGN100N170的工作原理信息

暂无IXGN100N170的替代产品信息

暂无IXGN100N170的PDF资料信息