系列:BIMOSFET™,IGBT 类型:-,配置:单一,电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):6V @ 15V，21A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:42A,电流 - 集电极截止（最大值）:50µA,不同 Vce 时的输入电容 (Cies):3.5nF @ 25V,功率 - 最大值:312W,输入:标准,NTC 热敏电阻:无,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC,供应商器件封装:SOT-227B

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