包装:*,系列:BIMOSFET™,IGBT 类型:-,电压 - 集射极击穿（最大值）:3000V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):*,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:*,Current - Collector Pulsed (Icm):300A,功率 - 最大值:300W,Switching Energy:*,输入类型:标准,Gate Charge:*,Td (on/off) A 25°C:*,Test Condition:*,反向恢复时间 (trr):*,封装/外壳:*,安装类型:*,供应商器件封装:*

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