包装:带卷 (TR),系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:36A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 18A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.7nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):670pF @ 10V,功率 - 最大值:47W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:D-Pak

暂无IRLR3714TRL的引脚图与功能信息

暂无IRLR3714TRL的工作原理信息

暂无IRLR3714TRL的替代产品信息

暂无IRLR3714TRL的PDF资料信息