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IRLR120的技术资料
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IRLR120
概述
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
厂商
Vishay Siliconix
参数
包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):270 毫欧 @ 4.6A,5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):490pF @ 25V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63,供应商器件封装:D-Pak
引脚图与功能
暂无IRLR120的引脚图与功能信息
工作原理
暂无IRLR120的工作原理信息
替代产品
暂无IRLR120的替代产品信息
PDF资料
暂无IRLR120的PDF资料信息
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