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IRLI620G的技术资料
搜索资料
IRLI620G
概述
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
厂商
Vishay Siliconix
参数
包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):800 毫欧 @ 2.4A,5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):360pF @ 25V,功率 - 最大值:30W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片,供应商器件封装:TO-220-3
引脚图与功能
暂无IRLI620G的引脚图与功能信息
工作原理
暂无IRLI620G的工作原理信息
替代产品
暂无IRLI620G的替代产品信息
PDF资料
暂无IRLI620G的PDF资料信息
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广州市昊友电子科技有限公司
深圳市烨鑫微电子有限公司
深圳市益辉科技有限公司
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