包装:剪切带 (CT)可替代的包装,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:6A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:37 毫欧 @ 7.8A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 25µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):580pF @ 25V,功率 - 最大值:2.1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-PowerVQFN,供应商器件封装:6-PQFN（2x2）

暂无IRFHS9301TR2PBF的引脚图与功能信息

暂无IRFHS9301TR2PBF的工作原理信息

暂无IRFHS9301TR2PBF的替代产品信息

暂无IRFHS9301TR2PBF的PDF资料信息