IRFD9010技术参数_IRFD9010资料_IRFD9010引脚图

IRFD9010

概述

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP

厂商

Vishay Siliconix

参数

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):50V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:500 毫欧 @ 580mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):240pF @ 25V,功率 - 最大值:1W,安装类型:通孔,封装/外壳:4-DIP（0.300"，7.62mm）,供应商器件封装:4-DIP，Hexdip，HVMDIP

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

IN5355B
I1501RU
IN5356B
ISO3080
IN5357B
I257 NL
IN5358B
ISO213P
IN5359B
I2200-5