IRFD320技术参数_IRFD320资料_IRFD320引脚图

IRFD320

概述

MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP

厂商

Vishay Siliconix

参数

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):400V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:490mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:1.8 欧姆 @ 210mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):410pF @ 25V,功率 - 最大值:1W,安装类型:通孔,封装/外壳:4-DIP（0.300"，7.62mm）,供应商器件封装:4-DIP，Hexdip，HVMDIP