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IRF6645

概述

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ

厂商

International Rectifier

参数

包装:带卷 (TR),系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:5.7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 5.7A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4.9V @ 50µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):890pF @ 25V,功率 - 最大值:3W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:DirectFET™ 等容 SJ,供应商器件封装:DIRECTFET™ SJ

引脚图与功能

暂无IRF6645的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRF6645的工作原理信息

替代产品

暂无IRF6645的替代产品信息

PDF资料

暂无IRF6645的PDF资料信息

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