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IRF630S

概述

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

厂商

Vishay Siliconix

参数

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 5.4A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 25V,功率 - 最大值:3W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB,供应商器件封装:D2PAK

引脚图与功能

暂无IRF630S的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRF630S的工作原理信息

替代产品

暂无IRF630S的替代产品信息

PDF资料

暂无IRF630S的PDF资料信息

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