包装:带卷 (TR),系列:OptiMOS™,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):55V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:15A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 10A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 10µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1420pF @ 25V,功率 - 最大值:21W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-PowerTDFN,供应商器件封装:PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）

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