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HGTG10N120BND的技术资料
搜索资料
HGTG10N120BND
概述
IGBT N-CH NPT 1200V 35A TO-247
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:管件,系列:-,IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):1200V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,10A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A,Current - Collector Pulsed (Icm):80A,功率 - 最大值:298W,Switching Energy:0.85mJ (开), 0.80mJ (关),输入类型:标准,Gate Charge:100nC,Td (on/off) A 25°C:23ns/165ns,Test Condition:960V, 10A, 10 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):32ns,封装/外壳:TO-247-3,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-247
引脚图与功能
暂无HGTG10N120BND的引脚图与功能信息
工作原理
暂无HGTG10N120BND的工作原理信息
替代产品
暂无HGTG10N120BND的替代产品信息
PDF资料
暂无HGTG10N120BND的PDF资料信息
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