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HGTD1N120BNS9A

概述

IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA

厂商

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):1200V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.9V @ 15V,1A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.3A,Current - Collector Pulsed (Icm):6A,功率 - 最大值:60W,Switching Energy:70µJ (开), 90µJ (关),输入类型:标准,Gate Charge:14nC,Td (on/off) A 25°C:15ns/67ns,Test Condition:960V, 1A, 82 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63,安装类型:表面贴装,供应商器件封装:TO-252AA

引脚图与功能

暂无HGTD1N120BNS9A的引脚图与功能信息

工作原理

暂无HGTD1N120BNS9A的工作原理信息

替代产品

暂无HGTD1N120BNS9A的替代产品信息

PDF资料

暂无HGTD1N120BNS9A的PDF资料信息

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