包装:*,系列:SPM®,FET 类型:6 N-沟道（3 相桥）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:150A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:1.66 毫欧 @ 80A， 10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,功率 - 最大值:115W,安装类型:*,封装/外壳:*,供应商器件封装:*

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