包装:带卷 (TR),系列:-,IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿（最大值）:400V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):8V @ 4V，130A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:-,Current - Collector Pulsed (Icm):130A,功率 - 最大值:2W,Switching Energy:-,输入类型:标准,Gate Charge:-,Td (on/off) A 25°C:150ns/150ns,Test Condition:300V, 130A, 15 欧姆, 4V,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,安装类型:表面贴装,供应商器件封装:8-SOP

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