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FGB40N60SM的技术资料
搜索资料
FGB40N60SM
概述
IGBT NPT 600V 80A D2PAK
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,IGBT 类型:场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.3V @ 15V,40A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A,Current - Collector Pulsed (Icm):120A,功率 - 最大值:349W,Switching Energy:1.13mJ,输入类型:标准,Gate Charge:119nC,Td (on/off) A 25°C:12ns/92ns,Test Condition:400V, 40A, 6 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB,安装类型:表面贴装,供应商器件封装:TO-263-3
引脚图与功能
暂无FGB40N60SM的引脚图与功能信息
工作原理
暂无FGB40N60SM的工作原理信息
替代产品
暂无FGB40N60SM的替代产品信息
PDF资料
暂无FGB40N60SM的PDF资料信息
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