包装:管件可替代的包装,系列:-,IGBT 类型:NPT 和沟道,电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V，15A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30A,Current - Collector Pulsed (Icm):45A,功率 - 最大值:186W,Switching Energy:3.6mJ,输入类型:标准,Gate Charge:120nC,Td (on/off) A 25°C:80ns/210ns,Test Condition:600V, 15A, 20 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):210ns,封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-3PN

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