FDZ193P技术参数_FDZ193P资料_FDZ193P引脚图

FDZ193P

概述

MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平栅极，1.7V 驱动,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 1A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):660pF @ 10V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-UFBGA，WLCSP,供应商器件封装:6-WLCSP