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FDV303N

概述

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):25V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:680mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.3nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 10V,功率 - 最大值:350mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23

引脚图与功能

暂无FDV303N的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FDV303N的工作原理信息

替代产品

暂无FDV303N的替代产品信息

PDF资料

暂无FDV303N的PDF资料信息

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