FDS3601技术参数_FDS3601资料_FDS3601引脚图

FDS3601

概述

MOSFET N-CH DUAL 100V 1.3A 8SOIC

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:480 毫欧 @ 1.3A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):153pF @ 50V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SOIC N

引脚图与功能

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工作原理

暂无FDS3601的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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